用于嵌入式闪存(UFM)的RAM类接口

相关产品

LatticeReferenceDesign-Logo 选择XO2系列中的不同器件,可以提供用户高达256Kbit的用户闪存(UFM),可擦写100,000次。这个非易失性存储器可以存储数据,方便以后查看。UFM可用作通用闪存或者非写密集型数据存储应用。XO2中的EBR更适合触摸屏类的应用。XO2的UFM是嵌入式功能块(EFB)的扩展,可以通过用户逻辑使用WISHBONE(WB)接口访问。

必须使用WISHBONE主接口与任意Wishbone从接口交互。该参考设计提供了一个现成的RTL代码段,实现了用户逻辑和UFM之间的接口,无需学习WISHBONE协议。该参考设计采用字节可寻址的双端口RAM(DP RAM),实现用户逻辑和EFB之间的数据交换。这大大简化了指令接口。DP RAM的一个端口可由用户访问,另一个端口由内部状态机访问。

立即跳转到

框图

性能和大小

器件系列 经测试的器件1 语言 fmax I/O引脚 资源使用 结构资源 版本
MachXO2™2 LCMXO2-1200ZE-3MG132C Verilog >50MHz 42 224 LUTs EFB & EBR 1.0

1. 可能可以在其他器件中工作。
2. 性能和资源使用情况使用是使用特定测试器件和Lattice Diamond™ 1.4软件测得的。

注:上面所列的性能和设计大小都仅是估计值。实际结果可能根据所选的参数、时序限制和器件实现有所不同。请参见设计文档,了解详细信息。若无特别说明,所有的代码和设计工作都是在PC平台上完成的。

文档

技术资源
标题 编号 版本 日期 格式 文件大小
RAM-Type Interface for Embedded User Flash Memory Reference Design – Source Code
RD1126 1.4 10/2/2014 ZIP 2.1 MB
RAM-Type Interface for Embedded User Flash Memory Reference Design – Documentation
RD1126 1.2 5/1/2012 PDF 2.8 MB
Like most websites, we use cookies and similar technologies to enhance your user experience. We also allow third parties to place cookies on our website. By continuing to use this website you consent to the use of cookies as described in our Cookie Policy.