ラティス・ネクサス・プラットフォーム

低消費電力、高信頼性、ハイパフォーマンスなデザインを実現

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ラティス・ネクサス・プラットフォームは、長年にわたるラティスの低消費電力FPGAについての専門知識と最先端 28nm FD-SOI 半導体製造技術を組み合わせています。このプラットフォームで、ラティスは低消費電力、ハイパフォーマンス、高信頼性、小型パッケージのデバイスファミリーを短期間に開発することができます。

ラティス・ネクサス・プラットフォームが提供する新しい3つの特徴

  • プロセス技術: バルクプロセスと比較して、75% 低い消費電力、100倍 低いソフトエラー発生率
  • アーキテクチャ: 一般的なAIアルゴリズムを最適に実現する組み込み大規模RAMブロック
  • ソリューション: 充実した、IP、リファレンスデザイン、開発ソフトウェアのソリューション

3つのイノベーション

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回路デザイン:

  • FD-SOI テクノロジーの絶縁ゲートにより実現される設定変更可能なバックバイアスにより、性能 / 電力の最適化を実現
  • クリティカルエリア (オレンジ) サイズの削減により、ソフトエラーレート (SER) に対する信頼性が 100 倍上回る
  • FD-SOI はバルク CMOS プロセスを利用可能でプロセス処理数も少ない
ArchitectureExpand Image

アーキテクチャ:

  • エッジ処理に最適な内蔵大容量 RAM
  • 外部メモリへのアクセスが必要なくなりパフォーマンスが向上
  • 外部メモリにアクセスするために必要な消費電力を削減
SolutionsExpand Image

ソリューション:

  • AI、エンベデッドビジョン、セキュリティにフォーカスしたソリューション
  • 製品開発を迅速に行うためのリファレンスデザイン、開発キット、ソフト IP、開発ソフトウェアを提供
  • エンドツーエンドの完全なソリューションにより、市場投入までの時間を短縮

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