快速页模式DRAM控制器

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快速页模式DRAM拥有比标准DRAM速度高的特点。当在同一地址的行（页）进行存储器访问时，对于第一次访问，需要单一的预充电。然后可以进行该页面的后续访问，没有额外预充电周期的时间损失问题。虽然它对需要更快技术的一些领域已失去了普及性，如双数据速率（DDR）SDRAM，然而当不需要很高的性能时，FPM DRAM仍是一个非常具有成本效益的解决方案。

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性能和大小

经测试的器件* 语言 性能 I/O 引脚 占用资源 修订版
LCMXO2-1200HC-6TG144CES Verilog >200MHz 47 56 LUTs 2.3
LCMXO2-1200HC-6TG144CES VHDL >200MHz 47 55 LUTs 2.3
LC4256ZE-5TN100C Verilog >165MHz 47 42 Macrocells 2.3
LC4256ZE-5TN100C VHDL >165MHz 47 43 Macrocells 2.3
M4A3-128/64-55VC Verilog >90MHz 47 42 Macrocells 2.3
M4A3-128/64-55VC VHDL >90MHz 47 43 Macrocells 2.3
ispLSI5128VE-180LT128 Verilog >100MHz 47 42 Macrocells 2.3
ispLSI5128VE-180LT128 VHDL >100MHz 47 43 Macrocells 2.3
LCMXO256E-5T100C Verilog >200MHz 47 55 LUTs 2.3
LCMXO256E-5T100C VHDL >200MHz 47 55 LUTs 2.3
LFXP2-5E-5M132C Verilog >200MHz 47 56 LUTs 2.3
LFXP2-5E-5M132C VHDL >200MHz 47 55 LUTs 2.3

* 也可用其他器件。

注: 以上所示的性能和设计规模仅是估计。实际结果可能取决于所选择的参数，时序约束和所用的器件。若要了解更详细的情况，请查阅设计文件。除非另有说明，所有的代码和设计工作都是在PC平台上完成的。

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Fast Page Mode SDRAM Controller - Documentation
FPGA-RD-02090 2.4 1/22/2021 PDF 887.1 KB
Fast Page Mode SDRAM Controller - Source Code
RD1014 2.3 11/8/2010 ZIP 110.4 KB

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