用于嵌入式闪存(UFM)的RAM类接口

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LatticeReferenceDesign-Logo 选择XO2系列中的不同器件,可以提供用户高达256Kbit的用户闪存(UFM),可擦写100,000次。这个非易失性存储器可以存储数据,方便以后查看。UFM可用作通用闪存或者非写密集型数据存储应用。XO2中的EBR更适合触摸屏类的应用。XO2的UFM是嵌入式功能块(EFB)的扩展,可以通过用户逻辑使用WISHBONE(WB)接口访问。

必须使用WISHBONE主接口与任意Wishbone从接口交互。该参考设计提供了一个现成的RTL代码段,实现了用户逻辑和UFM之间的接口,无需学习WISHBONE协议。该参考设计采用字节可寻址的双端口RAM(DP RAM),实现用户逻辑和EFB之间的数据交换。这大大简化了指令接口。DP RAM的一个端口可由用户访问,另一个端口由内部状态机访问。

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性能和大小

器件系列 经测试的器件1 语言 fmax I/O引脚 资源使用 结构资源 版本
MachXO2™2 LCMXO2-1200ZE-3MG132C Verilog >50MHz 42 224 LUTs EFB & EBR 1.0

1. 可能可以在其他器件中工作。
2. 性能和资源使用情况使用是使用特定测试器件和Lattice Diamond™ 1.4软件测得的。

注:上面所列的性能和设计大小都仅是估计值。实际结果可能根据所选的参数、时序限制和器件实现有所不同。请参见设计文档,了解详细信息。若无特别说明,所有的代码和设计工作都是在PC平台上完成的。

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RAM-Type Interface for Embedded User Flash Memory Reference Design – Documentation
FPGA-RD-02098 1.6 9/26/2021 PDF 1.7 MB
RAM-Type Interface for Embedded User Flash Memory – Source Code
FPGA-RD-02098 1.6 9/26/2021 ZIP 1.5 MB